阻中共主导芯片业 纽约斥资建半导体研发中心

纽约州长霍楚（Kathy Hochul）12月11日宣布，将与IBM、美光（Micron）、应用材料（Applied Materials）和东京电子（Tokyo Electron）等半导体产业者共同投资100亿美元，在州府奥本尼打造一座拥有最先进芯片制造设备的下一代半导体研发中心。

根据计划，纽约州府将先出资10亿美元，在州立大学奥本尼分校的奥本尼纳米科技综合园区（Albany NanoTech Complex）建一座新的5万平方英尺的无尘室大楼，安装向荷兰艾司摩尔公司（ASML Holding）购买的下一代光刻设备，打造北美首座尖端的高数值孔径极紫外光刻中心（High NA EUV Lithography Center）。

新建工程预计将耗时两年左右，建成之后，IBM、美光、应用材料和东京电子等合作业者将投资90亿美元，在此从事最复杂、最强大的半导体的研发和下一代芯片制造。

近年来，随着美中对抗加剧，在限制对中共出口芯片的同时，扩大美国芯片制造和研究已成为联邦和州一级的优先事项。

“我们谈论的不仅仅是创新，还有地缘政治力量平衡。这是利害攸关之处。”州长霍楚致词时指出，“美国曾经在这个行业占据主导地位。1990年，我们拥有全球半导体总产量40%……发生了一些事情后，如今这一比例为12%，我们过度依靠来自中国、韩国、台湾等地的货物和零件。”

尤其中共正试图主导这个行业，纽约州长霍楚说：“我们不会让这种情况发生。这就是为什么今天在这里，我们与半导体行业的领导者，启动一项价值100亿美元的新合作伙伴关系，并向前迈出一步，以确保纽约成为世界半导体之都。”

美国联邦参议院多数党领袖舒默（Chuck Schumer）在新闻发布会说：“目前的世界纪录是IBM制造的2纳米晶片，但这项数十亿美元投资，创建的新设施会把科幻小说变成现实，打造出比1纳米更小的晶片。”

这座高数值孔径极紫外光刻中心可望创造至少700个新的直接就业机会，并为上州地区留住数千个就业岗位。建成之后不但将成为创新芯片技术研发的终极目的地，还有助于纽约州争取新的全国半导体技术中心（National Semiconductor Technology Center）在此落脚。

全国半导体技术中心是美国国会去年通过的530亿美元的《芯片法案》（CHIPS Act）的核心项目，将拨款110亿美元设立全国半导体中心，以促进美国的芯片研发。



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