一份最新报告显示,到2032年,美国半导体制造能力将倍增,并控制全球近30%的先进芯片制造,而中国先进芯片生产全球占比只有2%。
周三(5月8日),根据半导体行业协会(SIA)和波士顿咨询公司发布的一份报告,美国预计在《芯片与科学法案》颁布后的十年内,国内芯片制造业将增长203%,并在数十年来首次扩大其在全球晶圆厂总产能中所占份额。这份报告聚焦全球芯片供应链。
这份题为“半导体供应链中的新兴弹性”的研究报告还预测,到2032年,美国先进逻辑芯片(10纳米以下)制造产能占全球产能的份额,将从2022年的10%增至28%。
未来十年 美国芯片产能增幅全球最高
美国在全球晶圆厂产能中所占的份额经历了数十年下降,从1990年的37%下降到2020年的12%,到2022年进一步下降至10%。到2022年,美国的所有芯片制造能力仅占全球的10%,大部分芯片制造位于亚洲。
美国政府于2022年通过《芯片与科学法案》,该法案拨款390亿美元用于美国芯片制造能力建设,以摆脱对中国供应链的依赖。
报告预计美国晶圆厂产能在未来10年将倍增(203%),预计增幅为全球最高,相比之下,美国晶圆厂产能在过去十年(2012-22 年)仅增长11%。报告还预计2024年至2032年期间,美国资本支出在全球资本支出总额(capex)占四分之一以上(28%),仅次于台湾(31%)。报告认为,如果没有《CHIPS法案》,到2032年,美国的资本支出将仅占全球资本支出的9%。
报告表示,这笔钱将在未来十年开始得到回报。
到2032年,美国将占全球芯片制造总量的14%。如果没有《CHIPS法案》,到2032年,美国的份额将进一步下滑至8%。
中共斥巨资发展芯片业 美国最先进芯片仍远超中国
此外,报告表示,《芯片法案》将帮助美国在制造最先进芯片方面远远超越共产中国。
美国和中国一样,目前不具备制造10纳米以下芯片的能力。然而,在美国联邦拨款的支持下,台积电、三星电子和英特尔已同意增加在美国的投资,并在美国本土生产世界上最先进的芯片。
台积电原本打算在其亚利桑那州工厂生产3纳米芯片,但在获得66亿美元拨款后也将生产2纳米芯片。三星还承诺通过《芯片法案》提供的64亿美元资金,在德克萨斯州工厂大规模生产2纳米芯片。
因此,根据SIA和BCG的报告,到2032年,美国将有能力制造28%的10纳米以下芯片。
相比之下,报告预测,虽然中共也斥资超过1,420亿美元的政府激励措施来建设国内半导体产业,但预计中国只能生产世界上最先进芯片的2%。
与此同时,美国对中国芯片出口限制,特别是对尖端芯片和芯片制造工具的限制,也是中共芯片技术远远落后于美国的部分原因。
SIA总裁兼首席执行官约翰·诺伊弗(John Neuffer)表示:“一些现在措施可能会减慢(芯片研发)速度。”他补充说,“(共产)中国在最先进芯片方面的起步基础要低得多。”
两党都支持加强美国半导体供应链
报告还发现,美国在对全球价值链的整体贡献方面继续领先世界,在芯片设计、电子设计自动化(EDA)和半导体制造设备等半导体技术高附加值领域,居领导地位。报告预计美国将增强其在关键技术领域的能力,例如DRAM存储器、模拟和先进封装等。
诺伊弗说,“尽管美国在制造业方面有所下滑,但在设计和研发方面,美国却是第一,而且从我们行业的历史来看,几乎一直如此。”
诺伊弗还表示,无论11月大选结果如何,两党都支持加强美国半导体供应链。
“我们的第一轮(《CHIPS法案》)成绩单看起来相当不错。”诺伊弗说,“当国会、政府考虑第二轮该怎么样时,我认为每个人都会很乐意做更多事情,因为第一轮是如此成功。”
他补充道:“我非常有信心,我们将采取政策应对措施,让我们继续参与其中,为我们的公司保持公平的竞争环境。”
这份报告还提醒,产业政策有可能造成额外的瓶颈,从而增加供应链风险。如果激励计划和大规模产业政策导致非市场化投资,半导体供应链的某些环节将面临风险,从而导致生产过度集中或供应过剩。政府激励措施应侧重于促进有针对性的、分布式的、基于市场的投资。
(本文参考了《日经新闻》的报导)
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